中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所日前發(fā)布信息稱，該所超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室石墨烯課題組在國(guó)際上首次通過引入氣態(tài)催化劑的方法，實(shí)現(xiàn)了石墨烯單晶在六角氮化硼表面的高取向、快速生長(zhǎng)，標(biāo)志著我國(guó)在制備石墨烯單晶的研究中再獲重要突破。該方法為在介質(zhì)襯底上制備高質(zhì)量石墨烯單晶膜提供全新的思路和技術(shù)方案，具有可觀的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。
 

    據(jù)該所王浩敏研究員介紹，自2011年起，上海微系統(tǒng)所石墨烯團(tuán)隊(duì)就開始開展在六方氮化硼襯底上外延生長(zhǎng)石墨烯單晶，及其結(jié)構(gòu)和性能表征工作，并取得了一系列成果。他們?cè)谇捌谡莆帐┬魏丝刂?、確定單晶和襯底取向關(guān)系的基礎(chǔ)上，以乙炔為碳源，創(chuàng)新性地引入硅烷作為催化劑，通過化學(xué)氣相外延的方法制備晶疇尺寸超過20微米的石墨烯單晶，生長(zhǎng)速率較之前文獻(xiàn)報(bào)道的提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)，使氣相催化在石墨烯制備上邁出了一大步。
 

   王浩敏研究員稱，在六角氮化硼這類電介質(zhì)表面直接生長(zhǎng)石墨烯單晶，一直是橫亙?cè)谡麄€(gè)石墨烯研究領(lǐng)域的一項(xiàng)巨大難題，他們研究開發(fā)的氣態(tài)催化方法突破了這一難題，在國(guó)際同行中處于領(lǐng)先位置，目前已經(jīng)申請(qǐng)專利。